Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD4P25TF
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD4P25TF
FQD4P25TF Hakkında
FQD4P25TF, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 3.1A sürekli drain akımı kapasitesiyle, orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 14nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynağı devrelerinde uygulanabilir. 2.5W (Ta) maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Parça şu anda üretim dışı durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 1.55A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok