Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD4N50TM_WS
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD4N50
FQD4N50TM_WS Hakkında
FQD4N50TM_WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2.7Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 13nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Maksimum ±30V gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok