Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD4N50TM
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD4N50
FQD4N50TM Hakkında
FQD4N50TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 2.7Ω on-direnç (10V, 1.3A) ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 45W (Tc) maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Vgs(th) 5V (250µA) eşik gerilimi ile standart sürücü devrelerine uyumludur. Bileşen yaşlı üretim (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok