Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD4N25TM
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD4N25TM
FQD4N25TM Hakkında
FQD4N25TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilim ve 3A sürekli drain akımı özelliklerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 10V gate sürme geriliminde 1.75Ohm maksimum RDS(On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç MOSFET uygulamalarında, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır. 2.5W (Ta) / 37W (Tc) güç dissipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır. Düşük gate charge (5.6nC) ve düşük input kapasitansi (200pF) hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok