Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD4N20TM
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD4N20TM
FQD4N20TM Hakkında
FQD4N20TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürüş voltajı ile standart mantık devreleriyle uyumludur. Part Status Last Time Buy olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok