Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD4N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD4N20L
FQD4N20LTM Hakkında
FQD4N20LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252) yüzey montaj paketi içinde gelmektedir. 1.35Ω maksimum drain-source direnci (Rds On) ile verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor denetim devreleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 2.5W (Ta) güç dağılımı kapasitesine sahip olup, ±20V gate-source gerilimi toleransı mevcuttur. Not: Bu bileşen kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok