Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD4N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD4N20L
FQD4N20LTF Hakkında
FQD4N20LTF, onsemi tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 200V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere kullanılır. 1.35Ohm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda sıklıkla tercih edilir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok