Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD3P50TM-F085
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD3P50TM
FQD3P50TM-F085 Hakkında
FQD3P50TM-F085, onsemi tarafından üretilen 500V P-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 DPak paket tipinde sunulan bu bileşen, maksimum 2.1A sürekli drain akımı ve 4.9Ω RDS(on) değeri ile tasarlanmıştır. ±30V gate gerilim toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak, güç kaynakları, motor denetim devreleri ve yüksek gerilim inverter topologilerinde kullanılır. 23nC gate charge ve 660pF input capacitance değerleri ile hızlı komütasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1.05A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok