Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD3P50TF
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD3P50TF
FQD3P50TF Hakkında
FQD3P50TF, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç seviyesi tasarımlarına uygun olup, 4.9Ω maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, invertörler ve yüksek voltaj anahtar devrelerinde uygulanabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 50W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 23nC (@10V) olup, hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1.05A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok