Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD3N60TM

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD3N60TM

FQD3N60TM Hakkında

FQD3N60TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 3.6Ω On-Resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. Güç kaynağı sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtar modlu güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 13nC gate charge ile hızlı switching özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok