Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD3N60TF

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD3N60TF

FQD3N60TF Hakkında

FQD3N60TF, onsemi tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 600V Vdss derecesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 2.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate voltajında 3.6Ohm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok