Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD3N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD3N60CTM
FQD3N60CTM-WS Hakkında
FQD3N60CTM-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.4Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde 1.2A'de) ve 14nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine izin verir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme, motor kontrolü, LED sürücüsü ve diyode uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 50W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile switching regülatörlerde ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 565 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok