Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD3N60CTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD3N60CTM
FQD3N60CTM Hakkında
FQD3N60CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj dayanımı ve 2.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 3.4Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve SMPS (Switched Mode Power Supply) tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 50W güç disipasyon kapasitesi mevcuttur. 565pF giriş kapasitesi ve 14nC gate charge ile kontrol devreleri tasarımı kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 565 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok