Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD3N50CTM
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD3N50C
FQD3N50CTM Hakkında
FQD3N50CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 10V gate geriliminde 2.5Ω maksimum on-state direnci ve 13nC gate yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 35W maksimum güç tüketimine sahiptir. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 365 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok