Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD3N50CTF

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD3N50CTF

FQD3N50CTF Hakkında

FQD3N50CTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve güç dönüştürücülerinde yaygın olarak yer alır. 10V gate sürüş geriliminde 2.5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok