Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD3N50CTF
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD3N50CTF
FQD3N50CTF Hakkında
FQD3N50CTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source voltaj ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.5A sürekli drain akımı ve 35W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile orta güç seviyesi anahtarlama devrelerinde yer alır. 2.5Ohm RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) paketi, yüzey montajı uygulamalarında kullanım için uygun boyutta ve ısı yönetimi özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücü devreleri, anahtarlama regülatörleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanım bulur. Bileşen işletim dışı statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 365 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok