Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD3N40TM
FQD3N40TM Hakkında
FQD3N40TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilim (Vdss) ve 2A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 3.4Ω açık durum direncine (RdsOn) sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan transistör, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 7.5nC gate yükü ve düşük giriş kapasitansı (230pF) hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 2.5W (Ta) güç tüketim kapasitesine sahiptir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok