Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD3N40TM
FQD3N40TM Hakkında
FQD3N40TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V Drain-Source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, 10V gate sürme geriliminde 3.4Ω maksimum on-direnci değerine sahiptir. ±30V gate gerilim aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C arasında işletilmek üzere tasarlanmıştır. 7.5nC gate şarjı ve 230pF giriş kapasitansı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç ayrıştırma kapasitesi maksimum 30W'tır. Endüstriyel kontrolü, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Parça üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok