Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD3N30TM
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD3N30TM
FQD3N30TM Hakkında
FQD3N30TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source voltaj dayanımı ve 2.4A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, yük anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı DC kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 30W güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok