Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD30N06TF

MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD30N06

FQD30N06TF Hakkında

FQD30N06TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 22.7A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-state direnci (RdsOn) ile karakterizedir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, 45mΩ maksimum RdsOn değeri ve hızlı anahtarlama özelliği sayesinde verimliliği artırır. 10V gate voltajda çalıştırılabilen bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 11.4A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok