Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD30N06TF

MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD30N06TF

FQD30N06TF Hakkında

FQD30N06TF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 22.7A sürekli dren akımı sağlayabilen bir güç transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (45mΩ @ 10V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalara uygundur. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve anahtarlı güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum gate charge değeri 25nC olup hızlı anahtarlama özelliği sunar. Parça güncel üretimde bulunmayıp arşiv statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 11.4A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok