Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD2N90TF
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD2N90TF
FQD2N90TF Hakkında
FQD2N90TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 1.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 7.2Ω (10V, 850mA) on-state direnci ile verimli çalışır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 15nC gate charge ve 500pF input kapasitansı hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) endüstriyel ortamlarda kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 850mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok