Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD2N90TF
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD2N90TF
FQD2N90TF Hakkında
FQD2N90TF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, anahtarlama devreleri, invertörler ve SMPS (Switch-Mode Power Supply) tasarımlarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, 7.2Ω maksimum RDS(on) direncine ve 50W maksimum güç dissipasyonuna (Tc) sahiptir. 10V gate sürme gerilimi ile kontrol edilir ve 5V gate-source eşik geriliminde açılır. Düşük gate şarj (15nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşen şu anda üretilmemekte olup, stok veya uyumlu alternatifler için tedarikçilere başvurulması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 850mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok