Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD2N80TM_WS
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD2N80TM
FQD2N80TM_WS Hakkında
FQD2N80TM_WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim ve 1.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate drive voltajında 6.3Ohm on-state direnç ile çalışır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverterlerde ve motor kontrol devreleri gibi industrial elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. 15nC gate charge ve 550pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok