Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD2N80TM
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD2N80TM
FQD2N80TM Hakkında
FQD2N80TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source gerilim ve 1.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri görmektedir. 6.3Ω (10V, 900mA) on-resistance değeri ile power management, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol ve indüktif yükler için uygun tasarlanmıştır. ±30V maksimum gate voltajı ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. 50W maksimum güç dissipasyonu kabiliyeti, uygun soğutma koşullarında sağlanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok