Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD2N60TM
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD2N60TM
FQD2N60TM Hakkında
FQD2N60TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Sürekli drenaj akımı 2A (25°C'de) olup, maksimum 4.7Ω (1A, 10V'da) RDS(on) değerine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Gate gerilimi ±30V'a kadar dayanıklı olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 11nC gate yükü ve 350pF input kapasitanslı yapısı hızlı anahtarlama performansı sağlar. DPAK paket formatı düşük ısı direnci ile kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok