Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD2N60TF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD2N60TF
FQD2N60TF Hakkında
FQD2N60TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2A sürekli dren akımı kapasitesi ve 4.7Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük güç kaybı sağlar. Gate yükü 11nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç kontrolü, motor sürücüleri ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bileşen, onsemi tarafından üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok