Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD2N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD2N60C
FQD2N60CTM Hakkında
FQD2N60CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu güç transistörü, 1.9A sürekli drenaj akımı ve 4.7Ω maksimum Rds(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V drive voltage ile kontrol edilebilen cihaz, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 12nC ve input capacitance 235pF olması hızlı anahtarlama işlemlerine uygunluğunu gösterir. Anahtarlayıcı regülatörler, invertörler ve motor kontrol devreleri başta olmak üzere endüstriyel güç elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 950mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok