Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD2N60CTM
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD2N60CTM
FQD2N60CTM Hakkında
FQD2N60CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 1.9A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sağlanan bu bileşen, 4.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponent, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. 12nC gate charge ve 235pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon performansı sunar. Surface mount yapısı ve 2.5W (Ta) / 44W (Tc) güç dağılımı kapasitesi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında geniş kullanım alanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 950mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok