Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD2N60CTF_F080
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD2N60CTF
FQD2N60CTF_F080 Hakkında
FQD2N60CTF_F080, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yapmak için tasarlanmıştır. 4.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, inverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 2.5W (Ta) veya 44W (Tc) güç tüketimine kadir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 950mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok