Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD24N08TM

MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD24N08TM

FQD24N08TM Hakkında

FQD24N08TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 19.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 60mOhm (10V, 9.8A koşullarında) düşük on-resistance değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) SMD paketine sahip olan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. ±25V gate gerilimi aralığında çalışabilir ve -55°C ile 150°C arasında sıcaklıklarda güvenilir performans sunar. 25nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 9.8A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok