Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD24N08TF

MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD24N08

FQD24N08TF Hakkında

FQD24N08TF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 19.6A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 60mOhm on-resistance değerine sahiptir. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 2.5W (Ta) ve 50W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 25nC gate charge ve 750pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon gerektiren devrelerde verimli çalışma sağlar. (Not: Ürün obsolete durumdadır.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 9.8A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok