Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD20N06TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD20N06TM
FQD20N06TM Hakkında
FQD20N06TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ile 16.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance değeri (63mOhm @ 10V) sayesinde güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan FQD20N06TM, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüler ve anahtarlamalı regülatör devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans değerleri ile kompakt ve yüksek frekanslı tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok