Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD20N06TM
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD20N06TM
FQD20N06TM Hakkında
FQD20N06TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 16.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 63mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına ve ±25V maksimum gate-source gerilimi toleransına sahiptir. Yüksek hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok