Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD20N06TF
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD20N06
FQD20N06TF Hakkında
FQD20N06TF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 16.8A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 63mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli güç aktarımı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 10V drive voltajında 15nC gate charge ve 590pF input kapasitans değerlerine sahiptir. Obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok