Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD20N06LETM
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD20N06LE
FQD20N06LETM Hakkında
FQD20N06LETM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 17.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 60mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün aktif üretimine son verilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 665 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 8.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok