Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD1P50TM
FQD1P50TM Hakkında
FQD1P50TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu transistör, anahtar uygulamaları, güç dönüştürücüler, offline adaptörler ve yüksek gerilim kontrol devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. 10.5Ω maksimum Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 14nC ile hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde yüksek frekans uygulamalarında da kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok