Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD1P50TF
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD1P50TF
FQD1P50TF Hakkında
FQD1P50TF, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltaj, 1.2A sürekli drain akımı ve 10.5Ω RDS(on) değerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Yüksek voltaj anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve doğrultma uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate-source voltaj ile geniş kontrol aralığına sahiptir. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok