Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD1N80TM
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD1N80TM
FQD1N80TM Hakkında
FQD1N80TM, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. DPAK (TO-252) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 1A sürekli dren akımı kapasitesine ve 20Ohm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 7.2nC gate charge ve 195pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 45W maksimum güç tüketimi (Tc) ile düşük ve orta güç seviyesindeki anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve gerilim regülatörü tasarımlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok