Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD1N60CTM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD1N60CTM
FQD1N60CTM Hakkında
FQD1N60CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drenaj akımı ile çalışır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 10V gate geriliminde 11.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate threshold gerilimi 4V'dur. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 6.2nC gate yükü ve 170pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok