Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD1N60CTF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD1N60CTF
FQD1N60CTF Hakkında
FQD1N60CTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 11.5Ohm maksimum Rds(on) değeriyle çalışır. Gate yükü 6.2nC olup, giriş kapasitansi 170pF'dir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Enerji çevirimi, anahtar devreler ve DC-DC konvertörlü uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok