Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD1N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD1N50TM
FQD1N50TM Hakkında
FQD1N50TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 1.1A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevlerini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, kuvvetli anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj invertör uygulamalarında kullanılır. 9Ω maksimum on-direnci (10V gate voltajında) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 2.5W güç dağıtabilir. ±30V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 550mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok