Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD19N10TM
FQD19N10TM Hakkında
FQD19N10TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 15.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. DPAK (TO-252) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlammalı regülatörlerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok