Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD19N10L
FQD19N10LTF Hakkında
FQD19N10LTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 15.6A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, düşük on-dirençi (RDS(on)) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Maksimum 50W güç dağıtabilir ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur. Mobil şarj cihazları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve elektrik araç uygulamalarında kullanılan bu bileşen, hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans değerleriyle tasarlanmıştır. Komponent obsolete (üretim dışı) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok