Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD18N20V2
FQD18N20V2TM Hakkında
FQD18N20V2TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltajı ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüşü ile 140mΩ maksimum on-dirençine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Endüstriyel kontrol devreleri, invertörler, anahtarlamali güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük gate charge değeri (26nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok