Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD17P06
FQD17P06TM Hakkında
FQD17P06TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 135mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 27nC gate charge değeri hızlı komütasyon özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok