Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD17P06TF
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD17P06
FQD17P06TF Hakkında
FQD17P06TF, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 12A sürekli drenaj akımına sahip olan bu bileşen, TO-252 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 135mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. ±25V gate voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve gerilim kontrolü sistemlerinde yaygın olarak kullanılan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlamalar için uygun tasarlanmıştır. 27nC gate charge ve 900pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyona imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok