Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD17N08L
FQD17N08LTF Hakkında
FQD17N08LTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 12.9A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan transistör, düşük 100mOhm on-resistance değeri ile yüksek verimli elektronik devrelerde yer alır. 40W maksimum güç disipasyonu kapasitesi sayesinde motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, şarj devre modülleri ve elektrik araç uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 6.45A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok