Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD17N08L
FQD17N08LTF Hakkında
FQD17N08LTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim kapasitesi ile 12.9A sürekli drain akımı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. 100mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunmaktadır. 11.5nC gate charge ve 520pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Mevcut durumu itibariyle üretim dışı (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 6.45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok