Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD16N15TM

MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD16N15TM

FQD16N15TM Hakkında

FQD16N15TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 11.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 160mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 10V kapı gerilimi ile kontrol edilir ve 30nC gate charge değerine sahiptir. Lojik seviye kontrolü gerektiren uygulamalarda kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5.9A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok